格勒诺布尔的SPINTEC公司提出并演示了一种新的概念，即磁存储器的热稳定性和可在直径至4nm处进行电转换。

 

SPINTEC (SPINtronics and technology of components)是世界领先的自旋电子学研究实验室之一，位于科学技术的十字路口。微电子学是磁学和微电子学的结合。它的目标是使用电子的自旋除了揭示新现象,使用它们来提高微电子设备的性能(尤其是降低功耗)或创建新的functionalitites如新了磁记忆的概念。天富代理什么待遇？

 

SPINTEC位于法国格勒诺布尔的MINATEC校园，是一个灵活的、以项目为导向的组织，聚集了来自学术界和工业界的物理学家和工程师。该实验室成立于2002年，并迅速扩大到目前的100人，包括41名长期工作人员和大约50名博士生、博士后和国际访问者。参与该实验室的科研机构有:法国环境研究中心、法国国家科学研究中心和法国格勒诺布尔阿尔卑斯大学(UGA)。

 

SPINTEC的目标是在自旋电子学(自旋电子学)领域的基础研究和创新设备技术之间架起一座桥梁。国际半导体技术路线图(ITRS)现在认为自旋电子学设备将在未来的半导体芯片中扮演重要角色。事实上，一种名为“自旋转移转矩磁随机存取存储器”(STT-MRAM)的新型磁存储器正在三星(Samsung)、台积电(TSMC)和环球(Global)等大型微电子晶圆厂进行量产。现在混合CMOS(互补金属氧化物半导体)/磁技术是微电子行业所接受,指数增长的自旋电子学应用程序和产品可以设想,特别是低功率电子产品(可穿戴电子、物联网、和消费电子产品,以及高性能计算)。

 

其他快速发展的领域包括磁场传感器和生物应用。

 

一个独特的位置

 

Spintec的独特定位使顶级科学家和应用工程师紧密合作，以确保新模式能够迅速转化为概念和功能设备的技术证明。因此，实验室的成果不仅是科学出版物和国际会议上的交流，而且是一个连贯的专利组合和相关功能示范的实施。

 

尽管基础研究主要是通过协作(资金)项目运营与其他研究实验室(尤其是UMϕCNRS /泰利斯Palaiseau在南希·琼Lamour研究所),应用研究是经常进行的与私人合作演员。这些企业可以是大型企业(应用材料、意法半导体、泰利斯、三星、希捷等)、中小型企业(SNR、Singulus等)或初创企业(Crocus、Menta、Spin Transfer Technologies、Evaderis、Antaios、Hprobe等)。Spintec已于2006年剥离了四家初创公司Crocus Technology、2014年剥离了eVaderis、2017年剥离了HProbe和Antaios。天富代理什么待遇？

 

SPINTEC:开发磁存储器的关键贡献

 

非易失性记忆是指即使在不用电的情况下也能保留所存储信息的记忆。这是固态驱动器或USB密钥中使用的闪存的情况。相反，像DRAM或SRAM这样构成计算机工作记忆的记忆是不稳定的，因为如果没有电力驱动，它们就不能保存信息。

 

基于铁电材料(FeRAM)、相变材料(PCRAM)、电阻氧化物(ReRAM)或磁性材料(MRAM)，特别是自旋传输(STT-MRAM)的各种非易失性存储技术已经存在。其中，STT-MRAM集合了一种独特的资产组合:写入速度(3-30ns)、密度(Hynix/Toshiba演示的4Gbit)、低功耗(几十个fJ/write)，以及非常重要的极长的写入耐力(>1013个写入周期，用于>30ns的写入时间)。

 

传统的STT-MRAM基于面外磁化隧道结(MTJs)，由于氧化物势垒和磁电极之间的垂直各向异性，存储层磁化被拉出平面。这一现象是2002年在SPINTEC发现的。这一突破使得高磁各向异性结合在一起，在低写入电流的情况下提供长时间的记忆保持，这两个特性在之前是很难调和的(参见Rev. Mod. Phys. 89,025008(2017))。在未来的STT-MRAM产品中实现的所有磁隧道接头都将使用这种界面各向异性现象。