路线图:石墨天富代理主管烯和2D材料促进了硅技术的发展

时间:2020-10-24 15:54 作者:http://zdtnx.com.cn/ 分享到:
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硅半导体技术为社会的进步做出了巨大的贡献,人们从它的多能用途和惊人的能力中受益匪浅。基于这种材料及其基础技术的电子、自动化、计算机、数码相机和最近的智能手机的发展已经达到了飞速的极限,将设备和导线的物理尺寸缩小到纳米级。天富代理主管
 
尽管这项技术自20世纪60年代末就开始发展,但电路的小型化似乎已经可能停止,因为晶体管只能缩小到一定的尺寸,不能再缩小了。因此,迫切需要用新材料来补充Si CMOS技术,以满足未来的计算需求以及应用多样化的需求。
 
现在,石墨烯和相关的二维(2D)材料在原子极限的器件性能方面提供了前所未有的发展前景。它们惊人的潜力已经被证明是一种可能的解决方案,以克服硅技术的局限性,其中二维材料与硅芯片的结合有望超越目前的技术局限。
 
在新的评论文章在自然界中,一个国际研究团队包括ICFO人员Stijn古森斯博士和教授ICREA ICFO Frank Koppens和工业领导人IMEC和台积电一起提供一个深入、全面复习的机会,集成自动薄材料的进展和挑战Si-based技术。他们提供了关于二维材料(2DMs)如何以及为什么能够克服现有技术带来的挑战,以及它们如何能够增强器件组件的功能和性能,从而在计算和非计算应用领域增强未来技术的特性的见解。
 
对于非计算性应用,他们回顾了将这些材料集成到未来摄像机、低功率光学数据通信、气体和生物传感器上的可能性。特别是图像传感器和光电探测器,其中石墨烯和2DMs可以使红外和太赫兹范围的新视野,除了可见范围的光谱。这些技术可以用于自动驾驶汽车、机场安检和增强现实。天富代理主管
 
对于计算系统,特别是在晶体管领域,他们展示了如何通过将2DMs与Si技术集成来减少诸如掺杂、接触电阻、介质/封装等挑战。2 dms也可以从根本上改善与小说的内存和数据存储设备切换机制meta-insulator-metal结构,避免在内存数组偷偷电流,甚至推动基于性能的铜连接的电路通过遵循石墨烯的超薄铜屏障材料,从而降低阻力,散射,自动加热。
 
该评审为所有涉众提供了关于利用CMOS技术解决二维材料集成的挑战和影响的见解。它提供了一个2 d集成和CMOS技术的路线图,确定所有挑战关于增长的阶段,转移,接口,掺杂,今天联系,设计目前站和可能的过程预计将决心实现这些目标的从一个研究实验室环境试验生产的第一线设备,结合这两种技术。
 
第一个2D material-CMOS路线图,正如在这篇综述中所呈现的,提供了一个令人兴奋的未来一瞥,从现在开始的几年内,第一个试生产将被期待。
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